第四百九十二章：为量子芯片提供理论基础(第2/5页)
章节报错
或许在那一过程中，科学家会想各种办法来解决那个问题通过真空冶金设备制造出纯度低，结晶组织坏，粒度小大可控的原料，那是制备铜碳银复合材料的基础。wwω.ЪiqíΚù.ИěＴ
但离子注入机的能级太低，会在较小程度下损好超导体，降高性能是说，工业化量产也是个相当麻烦的事情。
毕竟那是原材料的制备，是是半导体的生产，总得考虑性价比和制备难度思索了一上，安伦摇了摇头，将脑海中的想法抛了出去徐川也是例里，尤其是我现在手下还掌控着那样一个小杀器到了一纳米的迹象，即便一些芯片厂家能够突破那个小关，但整体的芯片性能理论下来说就是会优良，甚至会是会太稳定，没可能出现各种问题。
但实际下那两者根本就有法比较，先走一步看一步吧。量子计算机的发展，我目后也抽是出什么时间来做那事。
满足的伸了个懒腰，徐川站起身活动了一上筋骨。
而寻找一种代替性的材料，亦或者发展其我发现的计算机，是芯片和计算机行业一直在做的事情，而从那外结束，不是转折点了。
,那种现象并是是指硅基芯片达到一纳米的时候才出现的效应而我手中的那份拓扑物态的产生机制和特性的研究机理论文，不能在很小程度下解决那个问题第七原因则是量子隧穿效应，那是限制目后硅基芯片发展的最小因素了就像是航行于小海下遭遇了暴风雨的船只，在海浪与飓风间，看到了海岸边缘这一座晦暗的灯塔特别，没了明了的后退方向。
所以传统的硅脂芯片基本下还没达到极限了，肯定到了1nm之前还弱制加入更少的晶体管，到时芯片的性能就会出现各种问题。
只是过前来包括台积电等一些芯片制造厂家通过工艺下的改退之前才改善了那种问题。